Semiconductor G4BC20KD de circuito integrado de componente electrónico
Descripción de
Semiconductor G4BC20KD de circuito integrado de componente electrónico
:
Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
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Componentes electrónicos
G4BC20KD
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Fecha de alta del producto 22/10/2018
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Modificado por el vendedor 13/01/2020
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